Sambuco Salomone, Lucas Garcia-Inza, Mariano Carbonetto, Sebastián Faigón, Adrián

En:

Elektron; Vol 5, No 2 (2021); 100-104

Editor:

FIUBA

Fecha:

2021-12-15

Tipo de documento:

info:eu-repo/semantics/article

Idioma:

eng

Palabras clave:

radiation effects; floating gate cells; numerical modeling - efectos de radiación; celdas de puerta flotante; modelización numérica

Contenido:

Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debidamente evaluado a través de la variación de la tasa de captura de los huecos generados por radiación. Se considera un modelo analítico simplificado y se discuten sus limitaciones.

Abstract:

The radiation response of programmed/erased floating gate cells is studied by numerical simulations through a recently developed physics-based numerical model. The role played by oxide trapped charge in the overall threshold voltage shift with dose is properly evaluated by varying the capture rate of radiation-generated holes. A simplified analytical model is considered, and its limitations are discussed.

Identificador(es):

ISSN 2525-0159

Derechos:

info:eu-repo/semantics/openAccess

Licencia de uso:

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Cita bibliográfica:

Sambuco Salomone, Lucas ; Garcia-Inza, Mariano ; Carbonetto, Sebastián ; et al. (2021-12-15). Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells (info:eu-repo/semantics/article). Universidad de Buenos Aires FIUBA [consultado: ] Disponible en el Repositorio Digital Institucional de la Universidad de Buenos Aires: <http://elektron.fi.uba.ar/index.php/elektron/article/view/136>