untitled

Gate oxide degradation in metal-oxide-semiconductor structures

Palumbo, Félix Roberto Mario

Director(a):

Faigon, Adrián

Institución otorgante:

Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales

Fecha:

2005

Tipo de documento:

info:eu-repo/semantics/doctoralThesis

Formato:

application/pdf

Idioma:

spa

Temas:

MOS - METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR - OXIDOS ULTRA DELGADOS - FIABILIDAD - RADIACION GAMMA - INYECCION DE PORTADORES - DIODO CONTROLADO POR PUERTA - RUPTURA PROGRESIVA - METAL GATES - DBIE - DBIE - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - ULTRA-THIN OXIDES - RELIABILITY - GAMMA RADIATION - CARRIERS INJECTION - GATE CONTROLLED DIODE - PROGRESSIVE BREAKDOWN - METAL GATES - DBIE - DIELECTRIC-BREAKDOWN-INDUCED-EPITAXY

Descripción:

El aumento de la importancia de la tecnología MOS es impulsado por las innovaciones tecnológicas que permiten reducir en forma agresiva las dimensiones de los dispositivos y así aumentar el número de aplicaciones. A partir de la importancia comercial y de la evidencia experimental de la ruptura de los dispositivos surge el interés de comprender los mecanismos involucrados en la degradación del óxido de gate, para predecir y controlar este tipo de defectos. En este contexto, la aplicación es la motivación que lleva a describir la física de los problemas. En este trabajo se investigan fenómenos relacionados con las distintas fases de la degradación del óxido de puerta en estructuras MOS. Se estudian efectos de la radiación y de la inyección de portadores y se propone un modo de comparar la degradación asociada a estas distintas clases de condiciones severas a las que se somete al dispositivo en su funcionamiento. Se aporta a una temática de interés tecnológico, cual es la influencia del material de gate en la degradación del óxido. Los daños microscópicos en la estructura fueron estudiados combinando la caracterización eléctrica con el análisis de microscopia TEM de alta resolución. Se mostró que los defectos y daños no sólo se producen en la capa dieléctrica, los cambios físicos y micro-estructurales de los electrodos tiene un rol fundamental en el evento de ruptura.

Identificador:

https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3791_Palumbo

Derechos:

info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/

Licencia de uso:

Descargar texto:

tesis_n3791_Palumbo.oai

Cita bibliográfica:

Palumbo, Félix Roberto Mario (2005). Degradación de óxido de puerta en estructuras metal-óxido-semiconductor (M.O.S.). (info:eu-repo/semantics/doctoralThesis). Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. [consultado: ] Disponible en el Repositorio Digital Institucional de la Universidad de Buenos Aires: <https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3791_Palumbo>